Новости НИИ электронной техники
В рамках ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы ФГУП «НИИЭТ» закончил разработку первой отечественной СБИС 16-разрядного микроконвертера, а также серии мощных СВЧ низковольтных LDMOS транзисторов. подробнее
10 декабря сосоялось заседание Совета АПЭАП
Главным вопросом, обсуждавшемся на собрании, проходившем в офисе компании "Альтоника", стало согласование порядка обсуждения и публикации Стратегии развития электронной отрасли России до 2025 года. Большинство выступавших отмечало высокое качество подготовленного документа, некоторые предлагали опубликовать его незамедлительно. В итоге дискуссии, члены Совета приняли решение о публикации проекта Стратегии 18 декабря, после рассмотрения и включения замечаний от признанных экспертов отрасли. подробнее
Toshiba представила спинтронный транзистор
Toshiba представила MOSFET-транзистор, построенный на основе так называемого спинового токопереноса, происходящего за счет управления спином электронов. Появление подобного компонента весьма многообещающе – на его базе могут быть созданы быстродействующие энергонезависимые логические модули с функцией запоминания, имеющие к тому же чрезвычайно низкий уровень энергопотребления. Демонстрация первой стабильной спинтронной ячейки Toshiba произошла во время проходившего с 7 по 9 декабря в Балтиморе международного семинара по электронным устройствам. подробнее
11 декабря 2009
РОСНАНО инвестирует в производство высокоэффективных солнечных энергоустановок нового поколения
Наблюдательный совет РОСНАНО одобрил участие Корпорации в проекте по созданию производства наногетероструктурных фотопреобразователей с КПД 37-45%, солнечных модулей и энергоустановок нового поколения с линзами Френеля и системой слежения за солнцем. Его реализация позволит коммерциализировать разработанные в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН фундаментальные научно-технические принципы и технологические основы построения основных элементов концентраторных солнечных фотоэнергетических установок. подробнее
Фабрика «Ангстрем-Т» предлагает проектировать чипы под неё
Строящаяся фабрика концерна «Ангстрем» по производству микросхем с топологическими нормами 130 нм приступила к привлечению будущих клиентов из числа проектировщиков микросхем, малых и средних компаний – дизайн-центров. Запустить само производство на «Ангстреме» надеются к концу 2011 года. подробнее
10 декабря 2009
Toshiba предложила технологию для 20-нм КМОП полупроводников
Компания Toshiba заявила о разработке новой технологии создания слоев кремния с включениями примесей, которая, по ее словам, позволит решить ключевые проблемы, связанные с использованием недорогой комплементарной логики на КМОП-транзисторах для производства чипов по 20-нм нормам. подробнее
10 декабря 2009
IBM: 11 нм не предел для кремниевых чипов
Компания IBM провела две серии презентаций, в которых были затронуты проблемы технологий производства полупроводниковых устройств. В лекциях под названием “Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies” основное внимание представители IBM уделили микротехнологиям. В других под названием “Low Power/Low Energy Circuits: From Device to System Aspects” были рассмотрены вопросы снижения потребляемой мощности устройств. подробнее
10 декабря 2009
Продолжается формирование Оргкомитета «Российской недели электроники»
Продолжается формирование Оргкомитета «Российской недели электроники», которая пройдет 26-28 октября 2010 года в Москве в ЦВК «Экспоцентр» - комплекса специализированных выставок и конференций, охватывающих все вопросы разработки, производства и использования электронной компонентной базы и модулей радиоэлектронной аппаратуры. Инициатором проведения мероприятия выступили компания «ЧипЭКСПО» и Департамент радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. подробнее
10 декабря 2009
ООО "УниверсалПрибор" на выставке RADEL
2 декабря 2009 года в Петербургском СКК Председатель Совета директоров компании «УниверсалПрибор» Рубен Викторович Оганян традиционно открыл Международную выставку RADEL - крупнейшую на Северо-Западе России выставку электронных компонентов и комплектующих, материалов, технологий, оборудования, услуг, сертификации, сервиса в радиоэлектронике и приборостроении, проходящую в Петербурге с 2001 года. подробнее
Сделку Panasonic-Sanyo планируется закрыть до конца 2009 г.
Корпорация Panasonic получила согласие на продажу 50,19% голосующих акций Sanyo. Условием результативного завершения сделки являлось приобретение не менее 50,04% акционерного капитала Sanyo, сообщается в пресс-релизе. подробнее
10 декабря 2009
Минкомсвязи уполовинило технопарки
В разработанном Минкомсвязи проекте постановления правительства говорится о том, что в 2010 г. пять технопарков должны получить из федерального бюджета 1,5 млрд руб. Ранее предполагалось, что такое финансирование составит 2,3 млрд руб. и получат его в два раза больше объектов. подробнее
09 декабря 2009
Новинки прошедшей выставки Productronica 2009
Несмотря на трудные экономические условия, мировые лидеры в производстве оборудования для электронной промышленности представили ряд новинок на прошедшей в ноябре в Мюнхене (Германия) выставке Productronica 2009. подробнее
09 декабря 2009
Мир нанотехнологий открывается в Троицке
12 декабря в г. Троицк состоится научно-популярная лекция «Что такое нано?». Это мероприятие станет первым в цикле научно-популярных лекций «Мир нанотехнологий», проводимых при поддержке РОСНАНО. Лекции, которые будут читать лучшие ученые России, ориентированы на учащихся старших классов средних школ. В их ходе исследователи простым и доступным языком расскажут школьникам о том, какие заманчивые перспективы открываются сегодня перед человечеством, познавшим и освоившим технологии манипуляции веществом в наномасштабе. подробнее