Новости компаний

Открытый семинар АПЭАП «Современные аналоговые компоненты»

17 апреля 2009 года в актовом зале МАТИ на Берниковской набережной состоялся очередной открытый семинар Ассоциации Производителей Электронной Аппаратуры и Приборов (АПЭАП) «Современные аналоговые компоненты».

Семинар был ориентирован на разработчиков и конструкторов электронной аппаратуры.

Первый доклад представил П. Р. Машевич, представитель ОАО «Ангстрем». Он рассказал о номенклатуре выпускаемых предприятием изделий микроэлектроники, среди которых как традиционные микросхемы (такие как логические серии 1564 и 1554, операционные усилители и т.п.), так и микросхемы, выпускаемые по передовым технологиям. П. Р. Машевич отметил, что предприятие обладает такими технологиями, как:

• кремний на сапфире,
• БиКМОП,
• интегральные транзисторы до 500 В,
• интегральные магниторезистивные датчики,
• микро-электро-механические системы (МЭМС),
• БИС СОЗУ и Flash ЗУ,
• СБИС для тепловидения,
• RFID,
• силовые полупроводники

и др.

Однако, он отметил, что такое направление, как МЭМС сейчас находится на стадии опытных разработок.

Также предприятие уделяет большое внимание АЦ-БМК на КНС/КМОП структурах. При этом разработка новых АЦП не ведется из-за отсутствия спроса на рынке. Докладчик подчеркнул, что предприятие готово вести разработку микроэлектронных изделий, если будут поступать соответствующие запросы от предприятий отрасли.

Также он отметил, что в состав компании входит три предприятия. Ангстрем-Т имеет технологии 0,09-0,13 мкм для стандартных изделий; Ангстрем, обладающий технологией 0,35-0,5 мкм, специализируется на сложных передовых структурах; Ангстрем-М занимается проектированием изделий. Также компания имеет дочерний дизайн-центр Союз.

Далее свой доклад представил Сергей Пичугин, руководитель отдела производственных поставок компании Компэл. Данный доклад был посвящен тенденциям в развитии компонентов для силовой электроники. С. Пичугин выделил три основных направления в порядке убывания внимания со стороны отрасли:

• Повышение эффективности кристалла,
• Усовершенствование технологий корпусирования,
• Схемотехнические новшества.

Далее С. Пичугин уделил внимание характеристикам различных технологий, отметив, что наиболее эффективной является технология на основе GaN, однако она до последнего времени не получала широкого распространения из-за сложностей при массовом производстве, и лишь недавно эти сложности были преодолены компанией International Rectifier.

Далее докладчик перешел к вопросу усовершенствования корпусов, подробно рассказав о корпусе DirectFET, позволяющем в наилучшей степени воспользоваться преимуществами современных кристаллов с точки зрения электрических и тепловых характеристик.

Затем было уделено внимание прогрессу в области конструкции силовых модулей. Здесь были отмечены достижения компании SEMIKRON, которые позволили практически отказаться от паяных соединений в модулях, что значительно повышает их надежность.

Со следующим докладом выступил представитель компании NXP А. А. Башлыков. Он рассказал об истории компании, вышедшей из компании Philips, а также о ее продукции и новинках. В частности, было уделено большое внимание BISS-транзисторам и приборам для электростатической защиты высокоскоростных каналов.

Кроме того, докладчик подробно остановился на RFID-решениях, отметив, что в бесконтактных картах московского метрополитена используются ИМС производства NXP.

Также А. Башлыков уделил внимание проблемам корпусирования, отметив, что NXP имеет собственное решение для замены устаревшего корпуса SO-8 - корпус LFPAK. Этот корпус несколько уступает по электрическим характеристикам DirectFET, однако имеет то преимущество, что в нем кристалл не имеет контакта с окружающей средой, что делает его применение более технологичным.

Последний доклад мероприятия был представлен В. Б. Стешенко, представителем Российского Научно-Исследовательского Института Космического Приборостроения (РНИИКП). Докладчик отметил особенности производства специализированных ИМС, в частности указав на низкие объемы и отсутствие необходимости, а часто и нежелательность применения технологий с очень малыми проектными нормами.

Далее в докладе были достаточно подробно приведены принципы, технологии и стандарты проектирования заказных ИМС и систем на кристалле, а также показана экономическая и техническая эффективность применения заказных ИМС на базе БМК и других решений для специализированной аппаратуры.

При перепечатке и цитировании ссылка на ЭЛИНФОРМ (www.elinform.ru) обязательна