Сконструированы пьезоэлектрические устройства с возможностью резкого изменения сопротивления
Двое инженеров из Технологического института Джорджии (США) изготовили пьезоэлектрические устройства с возможностью резкого изменения сопротивления. Технология, в основе которой лежат нанопровода из оксида цинка, позволяет наладить связь между механическим действием и обычными электронными системами.
26 июля 2011
Созданы прозрачные литий-ионные аккумуляторы
В Стэнфордском университете (США) сконструированы прозрачные и гибкие литий-ионные аккумуляторы с оригинальными сетчатыми электродами.
Тайваньские производители будут развивать AMOLED-технологии
Тайваньские производители ЖК-панелей до последнего времени отставали от лидеров отрасли в разработке AMOLED-технологий, но они убеждены, что AMOLED хотя и имеет отличный потенциал, не будет серьёзно угрожать рынку TFT LCD в ближайшие три года.
19 июля 2011
Представлен «невидимый» метаматериал
Физики из Колумбийского университета (США), Университетского колледжа Лондона (Великобритания) и сингапурского Института микроэлектроники создали «невидимую» оптическую наноструктуру, которая позволяет свету проходить без естественного накопления фазового сдвига.
Ученые разработали «мягкую» память
Группе ученых из Университета Северной Каролины удалось создать запоминающее устройство, которое может произвести революцию в разработке биокомпьютеров. В отличие от полупроводниковой, их память является мягкой и устойчивой к внешним воздействиям и может отлично функционировать во влажной среде.
Samsung создала тестовый чип ARM по 20-нм HKMG-технологии
В лаборатории компании Samsung Electronics завершилось создание тестового ARM-процессора, готового к производству по 20-нм техпроцессу с применением технологии HKMG (high-K metal gate). В рамках проекта по созданию чипа инженеры Samsung сотрудничали с ARM Holdings, Cadence Design Systems и Synopsys Inc.
Ученые придумали, как сделать чип по технологии 9 нм
Массачусетский технологический университет нашел способ изготовления чипов с топологическим размером элемента 9 нм. Предыдущий рекорд технологии, которая была задействована в эксперименте, составляет 25 нм.
12 июля 2011
Солнечные батареи научились печатать на самых тонких видах бумаги
Американские исследователи продолжают экспериментировать со сверхтонкими материалами для фотоэлектрических панелей. Источники питания получаются не очень эффективными, но для бытовых нужд их вполне хватает.
TSMC может немного опередить Intel в области 3D-чипов
Как известно, Intel собирается в следующем году представить свои первые чипы с Tri-Gate транзисторами, которые позволяют на 37 % увеличить производительность по сравнению с планарными 32-нм структурами, уменьшив при этом энергопотребление на значение до 50%. Компания в мае сообщила, что массовое производство чипов с такими транзисторами начнётся в конце 2011 года.
Компания IBM разработала «мгновенную» память, в 100 раз быстрее флеш
IBM сообщила о своих новых разработках в области относительно нового формата памяти, известного как память с изменением фазового состояния (PCM). Существенное улучшение, которое было достигнуто исследователями, позволяет создавать быструю и надёжную энергонезависимую память для различного спектра применения: от мобильных телефонов до промышленных центров хранения данных. В следующие 5 лет PCM, по заявлению инженеров, может осуществить принципиальный сдвиг в технологиях хранения данных.
04 июля 2011
Разработка установки струйной печати приближает эру органической электроники, производимой по рулонной технологии
Использование рулонной технологии и струйной печати может значительно уменьшить стоимость производства устройств органической электроники, однако для промышленного применения этих технологий требуется процесс струйной печати, позволяющий наносить однородные полимерные слои на большую площадь. Разработанный в результате двухлетнего сотрудничества между партнером ЗАО Предприятие Остек Хольст центром и компаниями Philips и OTB Solar прототип установки струйной печати позволил совершить предпоследний шаг для достижения данной цели.
Samsung создала тестовый чип ARM по 20-нм HKMG-технологии
Hynix и Toshiba займутся разработкой MRAM-памяти
Солнечные батареи научились печатать на самых тонких видах бумаги
Установлен рекорд эффективности для стандартных солнечных батарей
TSMC может немного опередить Intel в области 3D-чипов
Наномагнитные логические устройства и память могут работать с максимально допустимой эффективностью
Компания IBM разработала «мгновенную» память, в 100 раз быстрее флеш
Разработка установки струйной печати приближает эру органической электроники, производимой по рулонной технологии
Создан преобразователь света в электрические сигналы на основе графена